SI7923DN-T1-E3、SI7923DN-T1-GE3对比区别

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型号 SI7923DN-T1-E3 SI7923DN-T1-GE3

描述 双P通道30 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETVISHAY  SI7923DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 6.4A

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

引脚数 8 8

封装 1212 1212

漏源极电阻 0.038 Ω 0.075 Ω

极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 1.3 W 1.3 W

漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.40 A, -6.40 A 6.40 A

上升时间 12 ns 12 ns

下降时间 28 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1300 mW 1300 mW

针脚数 - 8

高度 1.04 mm 1.04 mm

封装 1212 1212

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -