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CD74HCT533E、CD74HCT563M、MM74HCT540WM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CD74HCT533E CD74HCT563M MM74HCT540WM

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CD74HCT533E  逻辑芯片, 八路透明锁存器, 反相, 三态, 20DIPTEXAS INSTRUMENTS  CD74HCT563M  芯片, 74HCT 逻辑器件反相八路三态缓冲器 - 八路三态缓冲器 Inverting Octal 3-STATE Buffer - Octal 3-STATE Buffer

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 锁存器锁存器逻辑芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 20 20 20

封装 DIP-20 SOIC-20 SOIC-20

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 4.50V (min)

输出接口数 8 8 8

电路数 8 8 1

通道数 - - 8

位数 8 8 8

耗散功率 - - 500 mW

逻辑门个数 - - 8

输入数 8 8 8

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.5 V

输出电流 6 mA 7.8 mA -

针脚数 20 20 -

极性 Inverting Inverting -

长度 - - 13 mm

宽度 - - 7.6 mm

高度 - - 2.35 mm

封装 DIP-20 SOIC-20 SOIC-20

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99