VND14NV04-E、VND14NV0413TR、VND14NV04对比区别

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型号 VND14NV04-E VND14NV0413TR VND14NV04

描述 STMICROELECTRONICS  VND14NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 12.0 A

输出接口数 1 1 1

输出电流 18 A 12 A 12 A

漏源极电阻 0.035 Ω 35.0 mΩ 35.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 74 W 74 W 74 W

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 12.0 A 12.0 A

输出电流(Max) 12 A 12 A 12 A

输入数 1 1 1

耗散功率(Max) 74000 mW 74000 mW 74000 mW

供电电流 0.1 mA - -

针脚数 3 - -

阈值电压 2.5 V - -

漏源极电压(Vds) 55 V - -

输出电流(Min) 12 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

高度 2.4 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99