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VND14NV04-E

VND14NV04-E

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  VND14NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V

电源开关/驱动器 1:1 N 通道 12A DPAK


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK


立创商城:
VND14NV04-E


贸泽:
门驱动器 N-Ch 40V 12A OmniFET


艾睿:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube


安富利:
Power Switch Lo Side 12A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


富昌:
VND14NV04 Single Low Side 40 V 12 A 35 mOhm Power MosFet -TO-252-3


Chip1Stop:
Power Switch Lo Side 12A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


TME:
Driver; low-side switch; 12A; 74W; Channels:1; DPAK; Package: tube


Verical:
Current Limit SW 1-IN 1-OUT to 24A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  VND14NV04-E  MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 12A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 12A DPAK


VND14NV04-E中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 1

输出电流 18 A

供电电流 0.1 mA

针脚数 3

漏源极电阻 0.035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 40.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输出电流Max 12 A

输出电流Min 12 A

输入数 1

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 74000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

VND14NV04-E引脚图与封装图
VND14NV04-E引脚图

VND14NV04-E引脚图

VND14NV04-E封装图

VND14NV04-E封装图

VND14NV04-E封装焊盘图

VND14NV04-E封装焊盘图

在线购买VND14NV04-E
型号 制造商 描述 购买
VND14NV04-E ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  VND14NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号VND14NV04-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VND14NV04-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 7A 35mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  VND14NV04-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V

当前型号

型号: VND14NV04TR-E

品牌: 意法半导体

封装: TO-252

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