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MTD5P06VT4、MTD5P06VT4G、MTD5P06V对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD5P06VT4 MTD5P06VT4G MTD5P06V

描述 Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RON SEMICONDUCTOR  MTD5P06VT4G  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.34 ohm, 10 V, 2.8 V功率MOSFET 5安培, 60伏P沟道DPAK Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P−Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -5.00 A -5.00 A -

漏源极电阻 340 mΩ 0.34 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.1W (Ta), 40W (Tc) 40 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 5.00 A 5A

上升时间 26.0 ns 26 ns -

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 40 W 40 W -

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 40W (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2.8 V -

输入电容 - 510 pF -

栅电荷 - 20.0 nC -

下降时间 - 19 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2018/01/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -