2N7002LT1G、BS170G、2N7002TA对比区别

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型号 2N7002LT1G BS170G 2N7002TA

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 VON SEMICONDUCTOR  BS170G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2 VDIODES INC.  2N7002TA  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 115 mA 500 mA 115 mA

额定功率 0.225 W 83 W -

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 7.5 Ω 5 Ω 7.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 mW 350 mW 330 mW

阈值电压 2.5 V 2 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 90 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±40.0 V

连续漏极电流(Ids) 115 mA 500 mA 115 mA

正向电压(Max) 1.5 V - -

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 60pF @10V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 350 mW 330 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 350mW (Ta) 330mW (Ta)

输入电容 - 60.0 pF -

长度 2.9 mm 4.45 mm -

宽度 1.3 mm 4.19 mm -

高度 0.94 mm - -

封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) Box Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2018/01/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99