BQ4010LYMA-70N、MK48Z02B12、QS8885-35DB对比区别

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型号 BQ4010LYMA-70N MK48Z02B12 QS8885-35DB

描述 为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)CMOS 2K ×8 XEROPOWER SRAM CMOS 2K x 8 XEROPOWER SRAMCache Tag SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CDIP24,

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Quality Semiconductor

分类 存储芯片

安装方式 Through Hole - -

引脚数 28 - -

封装 DIP DIP DIP

电源电压(DC) 3.30 V - -

供电电流 30 mA - -

存取时间 70.0 ns - -

内存容量 8000 B - -

存取时间(Max) 70 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 3.3 V - -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Contains Lead - -

ECCN代码 EAR99 - -