BQ4010LYMA-70N
TI
德州仪器
电子元器件分类
BQ4010LYMA-70N中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V
供电电流 30 mA
存取时间 70.0 ns
内存容量 8000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.3 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP
外形尺寸
封装 DIP
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
BQ4010LYMA-70N引脚图与封装图
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在线购买BQ4010LYMA-70N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BQ4010LYMA-70N | TI 德州仪器 | 为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM 5 V, 3.3 V | 搜索库存 |
替代型号BQ4010LYMA-70N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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