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IRF1407S、IRF1407STRLPBF、IRF1407STRRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1407S IRF1407STRLPBF IRF1407STRRPBF

描述 D2PAK N-CH 75V 100AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160NC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0078 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8 W -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 5600 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A 100 A

上升时间 - 150 ns -

输入电容(Ciss) 5600pF @25V(Vds) 5600pF @25V(Vds) 5600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.8 W 3.8 W

下降时间 - 140 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) -

通道数 - - 1

产品系列 - - IRF1407S

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 9.65 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -