IRF1407S
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF1407S中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 3.8W Ta, 200W Tc
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 5600pF @25VVds
耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
符合标准
RoHS标准
含铅标准
IRF1407S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF1407S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF1407S 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 75V 100A | 当前型号 | D2PAK N-CH 75V 100A | 当前型号 |
| 型号： IRF1407STRLPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 75V 100A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF1407S和IRF1407STRLPBF的区别 |
| 型号： IRF1407STRRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 75V 100A | 类似代替 | D2PAK N-CH 75V 100A | IRF1407S和IRF1407STRRPBF的区别 |