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W25Q128JVSIM TR、W25Q128FVSIQ TR、W25Q128JVSIM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W25Q128JVSIM TR W25Q128FVSIQ TR W25Q128JVSIM

描述 NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 6ns 8Pin SOIC T/R/Tray/TubeIc Flash 128Mbit 104MHz 8soicFLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(16M x 8) SPI - 四 I/O,QPI,DTR 133MHz 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

时钟频率 133 MHz - 133 MHz

位数 8 - 8

存取时间(Max) 6 ns - 6 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

香港进出口证 - - NLR