时钟频率 133 MHz
位数 8
存取时间Max 6 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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W25Q128JVSIM TR | Winbond Electronics 华邦电子股份 | NOR Flash Serial SPI, Dual SPI, Quad SPI 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 6ns 8Pin SOIC T/R/Tray/Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: W25Q128JVSIM TR 品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份 封装: | 当前型号 | NOR Flash Serial SPI, Dual SPI, Quad SPI 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 6ns 8Pin SOIC T/R/Tray/Tube | 当前型号 | |
型号: W25Q128JVSIM 品牌: 华邦电子股份 封装: | 完全替代 | FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(16M x 8) SPI - 四 I/O,QPI,DTR 133MHz 8-SOIC | W25Q128JVSIM TR和W25Q128JVSIM的区别 | |
型号: W25Q128FVSIG TR 品牌: 华邦电子股份 封装: 8-SOIC | 类似代替 | NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8 7ns 8Pin SOIC | W25Q128JVSIM TR和W25Q128FVSIG TR的区别 | |
型号: W25Q128FVSIQ TR 品牌: 华邦电子股份 封装: 8-SOIC | 功能相似 | Ic Flash 128Mbit 104MHz 8soic | W25Q128JVSIM TR和W25Q128FVSIQ TR的区别 |