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MPSW45ARLRA、MPSW45AZL1G、MPSW45AZL1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW45ARLRA MPSW45AZL1G MPSW45AZL1

描述 一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon一瓦达林顿晶体管NPN硅 One Watt Darlington Transistors NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92 TO-226-3 TO-226-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

耗散功率 - 1000 mW 1 W

最小电流放大倍数(hFE) - 25000 @200mA, 5V 25000 @200mA, 5V

额定功率(Max) - 1 W 1 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 100MHz (Min) -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

封装 TO-92 TO-226-3 TO-226-3

长度 - - 5.21 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 7.87 mm

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape Tape Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -