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CY7C1512KV18-250BZI、CY7C1512KV18-250BZXI、CY7C1512KV18-250BZIT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1512KV18-250BZI CY7C1512KV18-250BZXI CY7C1512KV18-250BZIT

描述 72M 4mx18 QDR II FBGA 工业温度 250 MHz72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 72Mb 1.8V 4M x 18 250Mhz QDR II 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 18 18 18

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 250 MHz 250 MHz -

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

电源电压(Max) 1.9 V 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V 1.7 V -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

高度 0.89 mm 0.89 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a