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CY7C1512KV18-250BZXI

CY7C1512KV18-250BZXI

数据手册.pdf

72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 72Mb(4M x 18) 并联 250 MHz 165-FBGA(13x15)


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CY7C1512KV18-250BZXI


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SRAM 72MB 4Mx18 1.8v 250MHz QDR II SRAM


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CY7C1512KV18-250BZXI中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 250 MHz

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY7C1512KV18-250BZXI引脚图与封装图
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在线购买CY7C1512KV18-250BZXI
型号 制造商 描述 购买
CY7C1512KV18-250BZXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1512KV18-250BZXI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1512KV18-250BZXI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

当前型号

型号: CY7C1512KV18-250BZI

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

72M 4mx18 QDR II FBGA 工业温度 250 MHz

CY7C1512KV18-250BZXI和CY7C1512KV18-250BZI的区别

型号: CY7C1512AV18-250BZXI

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

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CY7C1512AV18 72 Mb 4 Mx18 250 MHz 1.8 V QDR™-II 2字突发 SRAM -FBGA-165

CY7C1512KV18-250BZXI和CY7C1512AV18-250BZXI的区别

型号: CY7C1512KV18-250BZIT

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

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静态随机存取存储器 72Mb 1.8V 4M x 18 250Mhz QDR II 静态随机存取存储器

CY7C1512KV18-250BZXI和CY7C1512KV18-250BZIT的区别