DTC114EM3T5G、DTC114TXV3T1、DTC114EKAT146对比区别

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型号 DTC114EM3T5G DTC114TXV3T1 DTC114EKAT146

描述 NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。数字晶体管（ BRT ） NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkROHM  DTC114EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-723-3 SC-89-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 50.0 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.6 W 0.3 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V 160 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 35 160 -

额定功率(Max) 260 mW - 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600 mW - 200 mW

额定功率 - - 0.2 W

直流电流增益(hFE) - - 30

增益带宽 - - 250 MHz

长度 1.25 mm 1.6 mm 2.9 mm

宽度 0.8 mm 0.85 mm 1.6 mm

高度 0.55 mm 0.7 mm 1.2 mm

封装 SOT-723-3 SC-89-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99