FQP19N10L、STP80NF10、STD15NF10T4对比区别

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型号 FQP19N10L STP80NF10 STD15NF10T4

描述 LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 19.0 A 80.0 A 23.0 A

漏源极电阻 100 mΩ 0.012 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 75W (Tc) 300 W 70 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 19.0 A 80.0 A 23.0 A

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 75 W 300 W 70 W

耗散功率(Max) 75W (Tc) 300W (Tc) 70W (Tc)

额定功率 - 300 W -

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3 V 3 V

输入电容 - 5500 pF -

上升时间 - 80 ns 45 ns

下降时间 - 60 ns 17 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

长度 - 10.4 mm 6.6 mm

宽度 - 4.6 mm 6.2 mm

高度 - 9.15 mm 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99