额定电压DC 100 V
额定电流 19.0 A
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 75W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
输入电容Ciss 870pF @25VVds
额定功率Max 75 W
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQP19N10L | Fairchild 飞兆/仙童 | LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQP19N10L 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 100V 19A 100mohms | 当前型号 | LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET | 当前型号 | |
型号: STP60NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V | FQP19N10L和STP60NF06的区别 | |
型号: STP5NK100Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V | FQP19N10L和STP5NK100Z的区别 | |
型号: STP80NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FQP19N10L和STP80NF10的区别 |