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STB20NK50Z、STB21NK50Z、R5016ANJTL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB20NK50Z STB21NK50Z R5016ANJTL

描述 N沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247STMICROELECTRONICS  STB21NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 VMOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 16A 3Pin

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 D2PAK TO-263-3 SC-83

耗散功率 - 190 W 100 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 - 20 ns 50 ns

输入电容(Ciss) - 2600pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

下降时间 - 15 ns 55 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 190W (Tc) 100W (Tc)

极性 N-CH N-Channel -

连续漏极电流(Ids) 17A - -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.23 Ω -

阈值电压 - 3.75 V -

额定功率(Max) - 190 W -

封装 D2PAK TO-263-3 SC-83

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -