FF200R12KT4HOSA1、SKM200GB12V、SKM200GB12E4对比区别

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型号 FF200R12KT4HOSA1 SKM200GB12V SKM200GB12E4

描述 INFINEON  FF200R12KT4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM200GB12V  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM200GB12E4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控) Semikron (赛米控)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

引脚数 7 7 7

封装 62MM-1 Module Semitrans3

针脚数 7 7 7

极性 NPN Dual N-Channel Dual N-Channel

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率 1.1 kW - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 14nF @25V - -

额定功率(Max) 1100 W - -

耗散功率(Max) 1100000 mW - -

封装 62MM-1 Module Semitrans3

长度 106.4 mm - 106.4 mm

宽度 61.4 mm - 61.4 mm

高度 30.9 mm - 30 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -