
针脚数 7
极性 Dual N-Channel
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
引脚数 7
封装 Module
封装 Module
产品生命周期 Active
制造应用 Power Management, 电源管理, 维护与修理, Maintenance & Repair
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SKM200GB12V | Semikron 赛米控 | SEMIKRON SKM200GB12V 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SKM200GB12V 品牌: Semikron 赛米控 封装: Module | 当前型号 | SEMIKRON SKM200GB12V 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 311 A, 1.75 V, 1.2 kV, Module | 当前型号 | |
型号: SKM200GB12E4 品牌: 赛米控 封装: Module | 完全替代 | SEMIKRON SKM200GB12E4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module | SKM200GB12V和SKM200GB12E4的区别 | |
型号: SKM200GB12T4 品牌: 赛米控 封装: Module | 完全替代 | SEMIKRON SKM200GB12T4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module | SKM200GB12V和SKM200GB12T4的区别 | |
型号: FF200R12KT4HOSA1 品牌: 英飞凌 封装: Module 1100000mW | 功能相似 | INFINEON FF200R12KT4HOSA1 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module | SKM200GB12V和FF200R12KT4HOSA1的区别 |