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CY7C1413AV18-250BZC、CY7C1413AV18-250BZXC、CY7C1413AV18-250BZCT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1413AV18-250BZC CY7C1413AV18-250BZXC CY7C1413AV18-250BZCT

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 -

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

电源电压(DC) - 1.80 V, 1.90 V (max) -

时钟频率 - 250MHz (max) -

位数 18 18 -

存取时间 - 250 µs -

内存容量 - 36000000 B -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead