71V67602S150BGG、IDT71V67602S150BG、IDT71V67602S150BGI对比区别

高亮显示差异参数

型号 71V67602S150BGG IDT71V67602S150BG IDT71V67602S150BGI

描述 静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L256K X 36 ， 512K X 18 3.3V同步SRAM 2.5VI / O，突发计数器流水线输出，单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect256K X 36 ， 512K X 18 3.3V同步SRAM 2.5VI / O，突发计数器流水线输出，单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 119 - -

封装 PBGA-119 BGA-119 BGA-119

存取时间 3.8 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

长度 14 mm - -

宽度 22 mm - -

高度 2.15 mm - -

封装 PBGA-119 BGA-119 BGA-119

厚度 2.15 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 3A991