IDT71V67602S150BG
数据手册.pdf
Integrated Device Technology
艾迪悌
电子元器件分类
IDT71V67602S150BG中文资料参数规格
技术参数
电源电压 3.135V ~ 3.465V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 BGA-119
外形尺寸
封装 BGA-119
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 3A991
IDT71V67602S150BG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IDT71V67602S150BG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDT71V67602S150BG | Integrated Device Technology 艾迪悌 | 256K X 36 ， 512K X 18 3.3V同步SRAM 2.5VI / O，突发计数器流水线输出，单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect | 搜索库存 |
替代型号IDT71V67602S150BG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDT71V67602S150BG 品牌： Integrated Device Technology 艾迪悌 封装： BGA | 当前型号 | 256K X 36 ， 512K X 18 3.3V同步SRAM 2.5VI / O，突发计数器流水线输出，单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect | 当前型号 |
| 型号： 71V67602S150BGG 品牌： 艾迪悌 封装： PBGA 119Pin | 类似代替 | 静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW P/L | IDT71V67602S150BG和71V67602S150BGG的区别 |
| 型号： 71V67602S150BGI 品牌： 艾迪悌 封装： | 功能相似 | SRAM Chip Sync Single 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.8ns 119Pin BGA Tray | IDT71V67602S150BG和71V67602S150BGI的区别 |