PBSS4350SPN、PBSS4350SPN,115对比区别

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型号 PBSS4350SPN PBSS4350SPN,115

描述 NPN/PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsNexperia PBSS4350SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:200 (PNP), 300 (NPN), 1 MHz, 8引脚

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOT-96 SOIC-8

极性 NPN+PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 2.7A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W

额定功率 - 1.2 W

针脚数 - 8

耗散功率 - 1430 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 300 @100mA, 2V

额定功率(Max) - 750 mW

直流电流增益(hFE) - 180

长度 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm

高度 1.75 mm 1.45 mm

封装 SOT-96 SOIC-8

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

工作温度 - 150℃ (TJ)