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PBSS4350SPN,115

PBSS4350SPN,115

数据手册.pdf
Nexperia 安世 分立器件

Nexperia PBSS4350SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 1 MHz, 8引脚

低饱和电压双 NPN/PNP ,

一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。


得捷:
TRANS NPN/PNP 50V 2.7A 8SO


立创商城:
1个NPN,1个PNP 50V 2.7A


欧时:
Nexperia PBSS4350SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 1 MHz, 8引脚


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-7


e络盟:
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 1.43 W, 2.7 A, 180 hFE, SOIC


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 2.7A Automotive 8-Pin SO T/R


PBSS4350SPN,115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.2 W

针脚数 8

耗散功率 1430 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最大电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V

额定功率Max 750 mW

直流电流增益hFE 180

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

PBSS4350SPN,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PBSS4350SPN,115 Nexperia 安世 Nexperia PBSS4350SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 1 MHz, 8引脚 搜索库存
替代型号PBSS4350SPN,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBSS4350SPN,115

品牌: Nexperia 安世

封装:

当前型号

Nexperia PBSS4350SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 1 MHz, 8引脚

当前型号

型号: PBSS4350SPN

品牌: 安世

封装: SOT-96

完全替代

低饱和电压双 NPN/PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

PBSS4350SPN,115和PBSS4350SPN的区别