额定功率 1.2 W
针脚数 8
耗散功率 1430 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
最大电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V
额定功率Max 750 mW
直流电流增益hFE 180
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.45 mm
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBSS4350SPN,115 | Nexperia 安世 | Nexperia PBSS4350SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 1 MHz, 8引脚 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBSS4350SPN,115 品牌: Nexperia 安世 封装: | 当前型号 | Nexperia PBSS4350SPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 2.7 A, Vce=50 V, HFE:200 PNP, 300 NPN, 1 MHz, 8引脚 | 当前型号 | |
型号: PBSS4350SPN 品牌: 安世 封装: SOT-96 | 完全替代 | 低饱和电压双 NPN/PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia | PBSS4350SPN,115和PBSS4350SPN的区别 |