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TLV2375ID、TLV2375IDR、TLV2375IDG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2375ID TLV2375IDR TLV2375IDG4

描述 CMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments家庭550 -UA /的CH 3 MHz的轨到轨输入/输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 550-uA/Ch 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN家庭550 -UA /的CH 3 MHz的轨到轨输入/输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 550-uA/Ch 3-MHz RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

输出电流 8mA @5V 8mA @5V 8mA @5V

供电电流 750 µA 750 µA 750 µA

电路数 4 4 4

通道数 4 4 4

耗散功率 1090 mW 1090 mW 1.09 W

共模抑制比 55 dB 55 dB 55 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 2.40 MHz 2.40 MHz 2.40 MHz

转换速率 2.40 V/μs 2.40 V/μs 2.40 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

输入补偿电压 2 mV 4.5 mV 4.5 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 3 MHz 3 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) 1090 mW 1090 mW 1090 mW

共模抑制比(Min) 55 dB 55 dB 55 dB

长度 9.9 mm 9.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free