KSH3055TF、MJD3055G、KSH3055TM对比区别
型号 KSH3055TF MJD3055G KSH3055TM
描述 ON Semiconductor KSH3055TF , NPN 晶体管, 10 A, Vce=60 V, HFE:5, 3引脚 DPAK (TO-252)封装NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管TRANS NPN 60V 10A DPAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 - 2 MHz -
额定电压(DC) - 60.0 V -
额定电流 - 10.0 A -
极性 - NPN -
耗散功率 - 1.75 W -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
热阻 - 6.25℃/W (RθJC) -
集电极最大允许电流 - 10A -
最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) - 10 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 20 W 20 W 1750 mW
长度 6.6 mm 6.73 mm -
宽度 6.1 mm 6.22 mm -
高度 2.3 mm 2.38 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -
ECCN代码 - EAR99 -