IPB100N04S3-03、IPB100N04S303ATMA1、IRF1104SPBF对比区别

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型号 IPB100N04S3-03 IPB100N04S303ATMA1 IRF1104SPBF

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorN沟道 40V 100ATrans MOSFET N-CH 40V 100A 3Pin(2+Tab) D2PAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 100 A

额定功率 - - 170 W

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 214 W 214 W 2.4 W

产品系列 - - IRF1104S

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40.0 V

漏源击穿电压 - - 40.0 V

连续漏极电流(Ids) 100A 100A 100 A

上升时间 16 ns 16 ns 114 ns

通道数 - 1 -

输入电容(Ciss) 9600pF @25V(Vds) 9600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 214 W 214 W -

下降时间 17 ns 17 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 214W (Tc) 214W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -