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SPP20N60CFD、SPW20N60CFD、SPP04N80C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPP20N60CFD SPW20N60CFD SPP04N80C3

描述 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  SPW20N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) 650 V 650 V 800 V

额定电流 20.7 A 20.7 A 4.00 A

额定功率 - - 63 W

通道数 1 - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.19 Ω 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 208 W 35 W 63 W

阈值电压 - 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 800 V

漏源击穿电压 - - 800 V

连续漏极电流(Ids) 20.7 A 20.7 A 4.00 A

上升时间 15 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) - 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 208 W - 63 W

下降时间 6.4 ns 6.4 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 208 W - 63W (Tc)

输入电容 2.40 nF 2.40 nF -

栅电荷 124 nC 124 nC -

长度 10.36 mm 16.13 mm 10 mm

宽度 4.4 mm 5.21 mm 4.4 mm

高度 9.45 mm 21.1 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 NLR - -