锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SPW20N60CFD

SPW20N60CFD

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
SPW20N60CFD中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.7 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 4 V

输入电容 2.40 nF

栅电荷 124 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

上升时间 15 ns

下降时间 6.4 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPW20N60CFD引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SPW20N60CFD
型号 制造商 描述 购买
SPW20N60CFD Infineon 英飞凌 INFINEON  SPW20N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号SPW20N60CFD
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPW20N60CFD

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF

当前型号

INFINEON  SPW20N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: SPW20N60C3

品牌: 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF

类似代替

INFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

SPW20N60CFD和SPW20N60C3的区别

型号: SPB20N60C3

品牌: 英飞凌

封装: TO263-3 N-Channel 650V 20.7A 4.5nF

类似代替

INFINEON  SPB20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

SPW20N60CFD和SPB20N60C3的区别

型号: SPP20N60CFD

品牌: 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF

类似代替

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SPW20N60CFD和SPP20N60CFD的区别