MX29LV040CQI-55Q、MX29LV040CQI-70G、SST39SF040-55-4I-NHE对比区别
型号 MX29LV040CQI-55Q MX29LV040CQI-70G SST39SF040-55-4I-NHE
描述 NOR 闪存Macronix 从 2 M 位密度提供 3 V 延长线路和 5 V 工业标准并行 NOR 闪存产品。 这些产品具有 Boot and Uniform Sector 体系结构，提供 x8、x16 和 x8/x16 可选配置。 在 3 V 产品线路中，MX29LV 系列提供标准读取访问权限，且 MX29GL 和 MX68GL 系列提供页模式访问权限。### 闪存，MacronixNOR 闪存Macronix 从 2 M 位密度提供 3 V 延长线路和 5 V 工业标准并行 NOR 闪存产品。 这些产品具有 Boot and Uniform Sector 体系结构，提供 x8、x16 和 x8/x16 可选配置。 在 3 V 产品线路中，MX29LV 系列提供标准读取访问权限，且 MX29GL 和 MX68GL 系列提供页模式访问权限。### 闪存，MacronixSST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
数据手册 ---
制造商 Macronix International (旺宏电子) Macronix International (旺宏电子) Microchip (微芯)
分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 32 32 32
封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC-32
工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V
供电电流 30 mA 30 mA 25 mA
针脚数 - - 32
位数 8 8 8
存取时间 - 70 ns 55 ns
存取时间(Max) 55 ns 70 ns 55 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) - - 5.5 V
电源电压(Min) - - 4.5 V
长度 11.5 mm 11.5 mm 11.43 mm
宽度 14.12 mm 14.12 mm 13.97 mm
高度 2.89 mm 2.89 mm 2.79 mm
封装 PLCC-32 PLCC-32 PLCC-32
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 3A991.b.1.a