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25AA256-I/P、CAT25256LI-G、25LC256-I/P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 25AA256-I/P CAT25256LI-G 25LC256-I/P

描述 MICROCHIP  25AA256-I/P  EEPROM, AEC-Q100, 256 Kbit, 32K x 8位, 10 MHz, SPI, DIP, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  CAT25256LI-G.  芯片, 存储器, EEPROM, 256Kb, 串行口, 10MHZ DIP-8MICROCHIP  25LC256-I/P  EEPROM, AEC-Q100, 256 Kbit, 32K x 8位, 10 MHz, SPI, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 PDIP-8

频率 10 MHz 5 MHz 10 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 1.80V (min) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 1.8V ~ 5.5V - 2.5V ~ 5.5V

供电电流 6 mA 4 mA 6 mA

针脚数 8 8 8

时钟频率 10 MHz 10 MHz 10 MHz

存取时间 50 ns - 50 ns

内存容量 32000 B 32000 B 32000 B

输入电容 7 pF - 7 pF

上升时间 100 ns - 100 ns

下降时间 100 ns - 100 ns

存取时间(Max) 50 ns 75 ns 50 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 1.8 V 1.8 V 2.5 V

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 0.4 in - 9.4 mm

宽度 - - 6.35 mm

高度 0.195 in - 3.3 mm

封装 DIP-8 DIP-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - NLR