MMBTA05LT1G、MMBTA05LT3G、MPSA05G对比区别
型号 MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MPSA05G
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBTA05LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 100 hFENPN 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR MPSA05G 放大器晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 96.1 A 500 mA 500 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 225 mW 0.3 W 625 mW
增益频宽积 - 100 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 100 @100mA, 1V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 1.5 W
针脚数 3 - 3
直流电流增益(hFE) 100 - 100
热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)
长度 3.04 mm 3.04 mm 5.2 mm
宽度 2.64 mm 2.64 mm 4.19 mm
高度 1.11 mm 1.11 mm 5.33 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99