MMBTA05LT1G、MMBTA05LT3G、MPSA05G对比区别

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型号 MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MPSA05G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBTA05LT1G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 100 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR  MPSA05G  放大器晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 96.1 A 500 mA 500 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 0.3 W 625 mW

增益频宽积 - 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 1.5 W

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 100 - 100

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

长度 3.04 mm 3.04 mm 5.2 mm

宽度 2.64 mm 2.64 mm 4.19 mm

高度 1.11 mm 1.11 mm 5.33 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99