FQB2N90TM、IRFBF20S、STD2NK100Z对比区别

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型号 FQB2N90TM IRFBF20S STD2NK100Z

描述 Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RPower Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3STMICROELECTRONICS  STD2NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 - TO-252-3

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 7.20 Ω - 6.25 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 3.13W (Ta), 85W (Tc) - 70 W

阈值电压 - - 3.75 V

漏源极电压(Vds) 900 V - 1 kV

上升时间 - - 6.5 ns

输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) - 499pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.13 W - 70 W

下降时间 - - 32.5 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc) - 70W (Tc)

额定电压(DC) 900 V - -

额定电流 2.20 A - -

漏源击穿电压 900 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.20 A - -

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

封装 TO-263-3 - TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99