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P6KE20AG、P6KE20ARLG、1.5KE20AG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P6KE20AG P6KE20ARLG 1.5KE20AG

描述 17.1V 600WTVS 二极管轴向单向 600W Surmetic,P6KE 系列,ON Semiconductor### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 T-18 017AA-01 41A-04

引脚数 - 2 2

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定功率 600 W - 1.50 kW

击穿电压 19 V 20.0 V 19 V

耗散功率 600 W - 1500 W

钳位电压 27.7 V 27.7 V 27.7 V

最大反向电压(Vrrm) 17.1V 17.1V 17.1V

脉冲峰值功率 600 W 600 W 1500 W

最小反向击穿电压 19 V 19 V 19 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

无卤素状态 - - Halogen Free

电路数 - 1 1

针脚数 - - 2

正向电压 - - 3.50 V

测试电流 - 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 - - 21 V

击穿电压 - 19 V 19 V

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃

封装 T-18 017AA-01 41A-04

长度 - 8.89 mm 9.5 mm

直径 - - 5.30 mm

宽度 - 3.68 mm -

高度 - 3.68 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99