P6KE20AG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定功率 600 W
击穿电压 19 V
耗散功率 600 W
钳位电压 27.7 V
最大反向电压（Vrrm） 17.1V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 19 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 T-18
外形尺寸
封装 T-18
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
P6KE20AG引脚图与封装图
暂无图片
替代型号P6KE20AG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P6KE20AG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-41 20V 600W | 当前型号 | 17.1V 600W | 当前型号 |
| 型号： 1.5KE20AG 品牌： 安森美 封装： Case 20V 1.5kW | 功能相似 | 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | P6KE20AG和1.5KE20AG的区别 |
| 型号： P6KE20A 品牌： 力特 封装： DO-15 20V 600W | 功能相似 | LITTELFUSE P6KE20A 二极管, TVS | P6KE20AG和P6KE20A的区别 |
| 型号： P6KE20ARLG 品牌： 安森美 封装： Case | 功能相似 | TVS 二极管轴向单向 600W Surmetic，P6KE 系列，ON Semiconductor### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | P6KE20AG和P6KE20ARLG的区别 |