IRF3710ZPBF、IPP26CN10N G、STP40NF10对比区别

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型号 IRF3710ZPBF IPP26CN10N G STP40NF10

描述 INFINEON  IRF3710ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IPP26CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 35A, 100V, 20mohm, 10V, 3VSTMICROELECTRONICS  STP40NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 35.0 A 50.0 A

漏源极电阻 0.018 Ω 0.02 Ω 0.025 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 71 W 150 W

阈值电压 4 V 3 V 3 V

输入电容 2900 pF 2.07 nF -

栅电荷 - 31.0 nC -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 59A 35.0 A 50.0 A

上升时间 77 ns 4 ns 64 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 1560pF @50V(Vds) 2180pF @25V(Vds)

下降时间 56 ns 3 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 71000 mW 150W (Tc)

额定功率 160 W - 150 W

针脚数 3 - 3

额定功率(Max) 160 W - 150 W

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 10.54 mm 10 mm 10.4 mm

宽度 4.69 mm 4.4 mm 4.6 mm

高度 8.77 mm 15.65 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99