IPP26CN10N G
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPP26CN10N G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 35.0 A
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 71 W
阈值电压 3 V
输入电容 2.07 nF
栅电荷 31.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1560pF @50VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 71000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
IPP26CN10N G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP26CN10N G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP26CN10N G | Infineon 英飞凌 | INFINEON IPP26CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 35A, 100V, 20mohm, 10V, 3V | 搜索库存 |
替代型号IPP26CN10N G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPP26CN10N G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 100V 35A 2.07nF | 当前型号 | INFINEON IPP26CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 35A, 100V, 20mohm, 10V, 3V | 当前型号 |
| 型号： IRF3710ZPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 59A | 类似代替 | INFINEON IRF3710ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V | IPP26CN10N G和IRF3710ZPBF的区别 |