SIHB12N50E-GE3、SPB12N50C3ATMA1对比区别

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型号 SIHB12N50E-GE3 SPB12N50C3ATMA1

描述 VISHAY  SIHB12N50E-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  SPB12N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-263

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.33 Ω 0.34 Ω

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 114 W 125 W

阈值电压 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 560 V

连续漏极电流(Ids) - 11.6A

上升时间 - 8 ns

输入电容(Ciss) - 1200pF @25V(Vds)

下降时间 - 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 125000 mW

封装 TO-252-3 TO-263

产品生命周期 - Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17