SPB12N50C3ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPB12N50C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-CH
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 560 V
连续漏极电流Ids 11.6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
封装 TO-263
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SPB12N50C3ATMA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SPB12N50C3ATMA1 | Infineon 英飞凌 | INFINEON SPB12N50C3ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号SPB12N50C3ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPB12N50C3ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 500V 11.6A | 当前型号 | INFINEON SPB12N50C3ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： SIHB12N50E-GE3 品牌： 威世 封装： TO-263 N-Channel | 功能相似 | VISHAY SIHB12N50E-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V | SPB12N50C3ATMA1和SIHB12N50E-GE3的区别 |