CY7C1150KV18-400BZXC、CY7C1170KV18-400BZXC、CY7C1170KV18-400BZC对比区别

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型号 CY7C1150KV18-400BZXC CY7C1170KV18-400BZXC CY7C1170KV18-400BZC

描述 18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)18兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)18兆位的DDR II SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 - 36 36

存取时间 - 0.45 ns 0.45 ns

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

供电电流 - - 640 mA

时钟频率 - - 400 MHz

高度 - 0.89 mm -

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free