位数 36
存取时间 0.45 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY7C1170KV18-400BZXC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY7C1170KV18-400BZXC 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: FBGA | 当前型号 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | 当前型号 | |
型号: CY7C1170KV18-450BZXC 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA | 完全替代 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | CY7C1170KV18-400BZXC和CY7C1170KV18-450BZXC的区别 | |
型号: CY7C1150KV18-400BZXC 品牌: 赛普拉斯 封装: 165-LBGA | 完全替代 | 18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | CY7C1170KV18-400BZXC和CY7C1150KV18-400BZXC的区别 |