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JANTX2N6286、PMD17K80、PMD17K100对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6286 PMD17K80 PMD17K100

描述 Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 80V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2Pin, TO-204AA, 2PinTO-3 PNP 80V 20ATO-3 PNP 100V 20A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Central Semiconductor Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-3

引脚数 3 - -

极性 - PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 100 V

集电极最大允许电流 - 20A 20A

耗散功率 175 W - -

最小电流放大倍数(hFE) 1250 @10A, 3V - -

额定功率(Max) 175 W - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 175000 mW - -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -

RoHS标准 Non-Compliant - -

含铅标准 - -

ECCN代码 EAR99 - -