JANTX2N6286
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N6286中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 175 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1250 @10A, 3V
额定功率Max 175 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 175000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTX2N6286引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N6286
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N6286 | Microsemi 美高森美 | Power Bipolar Transistor, 20A IC, 80V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2Pin, TO-204AA, 2Pin | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N6286
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N6286 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 175000mW | 当前型号 | Power Bipolar Transistor, 20A IC, 80V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2Pin, TO-204AA, 2Pin | 当前型号 |
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