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2N3767、JAN2N3767、JANTX2N3767对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3767 JAN2N3767 JANTX2N3767

描述 Trans GP BJT NPN 80V 4A 3Pin (2+Tab) TO-66NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-66 TO-213 TO-66

耗散功率 - - 25 W

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 25000 mW 25000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @500mA, 5V -

额定功率(Max) - 25 W -

封装 TO-66 TO-213 TO-66

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead