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JANTX2N3767

JANTX2N3767

数据手册.pdf

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 25000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C.

JANTX2N3767中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

JANTX2N3767引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N3767 Microsemi 美高森美 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N3767
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTX2N3767

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-66 25000mW

当前型号

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号: 2N3767

品牌: Central Semiconductor

封装:

功能相似

Trans GP BJT NPN 80V 4A 3Pin 2+Tab TO-66

JANTX2N3767和2N3767的区别

型号: 2N3766LEADFREE

品牌: Central Semiconductor

封装:

功能相似

TO-66 NPN 60V 4A

JANTX2N3767和2N3766LEADFREE的区别