JANTX2N3767
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
耗散功率 25 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 25000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-66
封装 TO-66
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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JANTX2N3767 | Microsemi 美高森美 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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