IRL1004PBF、IRLB3034PBF、IRL1004对比区别

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型号 IRL1004PBF IRLB3034PBF IRL1004

描述 N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRLB3034PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.5 VTO-220AB N-CH 40V 130A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 200 W 375 W 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 130A 343A 130A

上升时间 210 ns 827 ns 210 ns

输入电容(Ciss) 5330pF @25V(Vds) 10315pF @25V(Vds) 5330pF @25V(Vds)

下降时间 14 ns 355 ns 14 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 375W (Tc) 200W (Tc)

额定功率 200 W 375 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0065 Ω 0.0014 Ω -

阈值电压 1 V 2.5 V -

输入电容 - 10315pF @25V -

漏源击穿电压 - 40 V -

额定功率(Max) 200 W 375 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10 mm 10 mm -

宽度 4.4 mm 4.4 mm -

高度 8.77 mm 15.65 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -