IRLB3034PBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRLB3034PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 375 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0014 Ω
极性 N-CH
耗散功率 375 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 10315pF @25V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 343A
上升时间 827 ns
输入电容Ciss 10315pF @25VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 355 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, Battery Operate, Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Elec, Full-Bridge, Consumer Electronics, 便携式器材, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRLB3034PBF引脚图与封装图 
IRLB3034PBF引脚图
IRLB3034PBF封装图
IRLB3034PBF封装焊盘图
在线购买IRLB3034PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLB3034PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRLB3034PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号IRLB3034PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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