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IPB037N06N3G、IPB037N06N3GATMA1、IPB034N06L3GATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB037N06N3G IPB037N06N3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1

描述 60V,90A,N沟道功率MOSFETInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB037N06N3GATMA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装INFINEON  IPB034N06L3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 188 W 167 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.003 Ω 0.0027 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 188 W 167 W

阈值电压 - 3 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V -

连续漏极电流(Ids) - 90A 90A

上升时间 70 ns 70 ns 78 ns

输入电容(Ciss) 8000pF @30V(Vds) 8000pF @30V(Vds) 10000pF @30V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 188000 mW 188000 mW 167 W

长度 - 10 mm 10.31 mm

宽度 - 9.25 mm 9.45 mm

高度 - 4.4 mm 4.57 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃